无锡光电科技无锡高新区硅基光电产业加速崛起，构筑“太湖光谷”新集群！

用户投稿 2025年06月21日 23:28:01 51 0

无锡高新区硅基光电产业加速崛起，构筑“太湖光谷”新集群！

随着人工智能、智能网联汽车、工业互联网等新兴产业的快速发展，对底层算力与高速通信的需求持续增长，光电子技术迎来新一轮战略性发展机遇。作为光电子技术的核心器件，“光芯片”正日益成为推动产业高质量发展的关键引擎。

无锡高新区依托坚实的光电子产业基础和完善的产业生态，持续推动产业链优化升级，已构建起“应用牵引、链条完整、特色鲜明”的产业发展格局。

区内已汇聚起德科立、菲尼萨、贝孚德通讯等终端应用领域的龙头企业，英菲感知、艾芯泽微电子、艾普柯微电子、鉴微华芯、逍遥科技等芯片设计及PDA工具企业，中科德芯、拓易科技、华辰芯光、芯融半导体、物联网创新中心MEMS与硅光8英寸晶圆代工产线等芯片制造企业，华进半导体、菲光科技等封装测试企业，以及邑文电子、尚积半导体等关键设备企业。2024年，无锡高新区光电子产业整体规模已突破150亿元 ，展现出强劲的发展动能和显著的产业集聚效应。

作为光电子产业的重要前沿分支，硅基光电技术融合光子技术与CMOS集成电路制造工艺，兼具超高速率、超低功耗和超大规模制造等优势，广泛应用于大数据传输、光通信、光计算、智能感知等前沿领域，战略价值日益凸显。无锡高新区抢抓硅基光电发展机遇，前瞻性地将其纳入“5+2+N”未来产业集群重点发展方向之一，举办首届中国硅光大会，推动形成具有核心竞争力的全产业链集群。2024年，硅基光电产业规模突破18亿元 ，同比增长112.82% ，实现量质齐升。

目前，无锡高新区硅基光电产业逐渐形成全产业链融通发展的格局，涌现出一批具有代表性的骨干企业。德科立深耕光通信领域二十余载，成功登陆科创板，成为国家级专精特新“小巨人”典范企业；英菲感知近年来聚焦低空飞行与自动驾驶视觉感知，迅速崛起为行业新锐；中科德芯在短波红外InGaAs器件领域实现技术突破；菲光科技打造高端光芯片测试平台，月产能达60万颗；尚积半导体在氧化钒（VOx）、氮化钽（TaN）等关键化合物薄膜沉积领域打破国外垄断，产品性能指标全面超越进口设备，市场占有率持续攀升；拓易科技、芯融半导体作为新起之秀，瞄准算力中心市场填补100G EML光芯片等国内空白，融资估值持续提升。

同时，无锡高新区加强基础核心研究力量，积极探索与各大顶尖高校、科研机构所及团队的合作，先后与中国科学院上海技物所、中国科学院长春光机所、清华大学、南京大学、上海理工大学等院校机构接洽合作，落地红外芯片III-V族核心材料与器件、光学镀膜、多通道单片集成精准光子阵列、先进光芯片封装、光谱分析等技术产业化项目，并积极筹建光计算与智能感知创新中心，为推进硅光产业发展不断积累力量；全方位提升要素保障能力，加速建设光电通信产业园，提升载体支撑能力，依托集成电路产业集聚发展优势，构建涵盖质押担保、风险补偿、科技信贷、种子基金、天使基金、产业并购基金等全链条科技金融支撑体系，其中各类股权投资基金超50支 ，规模超200亿元 ，为全链条布局硅光产业提供强有力支撑。

为持续推动硅基光电产业做大做强

无锡高新区还将从以下四个方面全面加力

助推产业实现跨越式发展

01 打造项目“招引力”

加大硅基光电领域优质项目招引力度，聚焦光通信、光传感、光计算等重点方向，主动对接光子芯片中试线、芯光互联研究院、九峰山实验室等国内外高端创新资源。进一步完善从孵化培育到成果转化、产业化落地的全链条服务体系，全面提升产业集聚和发展能级。

02 筑牢创新“护城河”

强化知识产权保护示范区建设，鼓励企业布局核心专利，推广知识产权质押融资和知识产权证券化项目，推动技术标准制定，构建公平有序、创新驱动的产业生态。

03 搭建资本“登山梯”

强化政策引导与金融支撑作用，充分发挥江苏省集成电路（无锡）产业专项母基金撬动效应，引导更多社会资本精准投向硅光领域重点环节和关键赛道，加快培育一批具有全球竞争力的独角兽企业。

04 种好人才“梧桐树”

加快构建多层次人才体系，优化人才服务机制，吸引和集聚一批掌握核心技术的高端人才和创新团队，激发关键要素活力。

未来，无锡高新区将继续锚定“创新引领、集群发展、链条完整”的目标定位，全面提升硅基光电产业发展能级，打造具有全球影响力的光子产业新高地，为推动战略性新兴产业集群化发展和实现新质生产力持续突破注入澎湃动能，在中国式现代化新征程中奏响“芯光共振”的时代强音。

编辑 | 张路路

来源 | 区工信局

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清华大学和无锡旭晶光电申请硅通孔钙钛矿单晶阵列专利，确保与 CMOS 工艺兼容

金融界 2025 年 5 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，清华大学;无锡旭晶光电科技有限公司申请一项名为“一种硅通孔辅助的钙钛矿单晶阵列及与 CMOS 芯片互连方法”的专利，公开号 CN119907327A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种硅通孔辅助的钙钛矿单晶阵列及与 CMOS 芯片互连方法，钙钛矿单晶阵列包括硅基底、隔离层、钙钛矿单晶、公共电极和像素化金属电极，硅基底具有阵列化的贯穿通孔，钙钛矿单晶位于通孔内部，公共电极沉积在硅基底和钙钛矿单晶的表面上，像素化金属电极沉积在硅基底和钙钛矿单晶远离公共电极一侧的表面上；在应用过程中，将钙钛矿单晶阵列与 CMOS 芯片通过倒装焊接技术实现互连。本发明通过利用硅通孔的高精度加工能力与钙钛矿材料的优异性能相结合，确保了与 CMOS 工艺的兼容性，实现了高质量钙钛矿单晶阵列的像素化和与底层的 CMOS 读出芯片的高密度集成互连，从而为低成本、高性能 X 射线成像器件的制造提供了一种创新的技术路径。

本文源自金融界